Scientific journal
Modern high technologies
ISSN 1812-7320
"Перечень" ВАК
ИФ РИНЦ = 0,940

Personal portfolio

Контроль осуществляется устройством, позволяющим локализовать место возникновения электродиффузионного отказа сильноточной металлизации интегральных микросхем (ИМС). Опираясь на термическую модель возникновения таких отказов, предложенную в [1,2], можно предположить, что отказ возникнет в точке наибольшего градиента температуры тонкопленочного проводника, нагревающегося в процессе работы. При этом не важна, природа возникновения градиента. Он может появится либо вследствие конструкторско-технологических дефектов при проектировании и изготовлении ИМС, либо вследствие внешнего нагрева теплом выделяющимся при работе активных элементов ИМС. Контролируя распределение температур по длине проводника, можно построить математическую модель его электродиффузионной деградации.

В настоящее время устройство позволяет диагностировать возникновение отказов на этапе отладки технологического процесса формирования металлизации.

Работа устройства происходит следующим образом. На предметный стол устанавливается подложка с нанесенной на нее тест структурой тонкопленочного проводника, через который пропускается ток высокой плотности (порядка 106 А/см2), тем самым стимулируется процесс электродиффузии и производится нагрев проводника. С помощью измерительной головки, перемещающейся вдоль проводника, определяется термический профиль. В качестве измерительного элемента используется точечный терморезистор. Информация с измерительной головки в виде разности потенциалов поступает в аналого-цифровой преобразователь (АЦП), а затем на последовательный порт ЭВМ.

Данное устройство планируется внедрить в технологический процесс изготовления ИМС, что позволит увеличить выход годных изделий, а также будет способствовать разработке принципиально новых технологических приемов создания сильноточной металлизации, устойчивой к электродиффузионным процессам.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

  1. Архипов А.В. Электродиффузионная надежность тонкопленочных проводников на основе эпитаксиальной пленки алюминия: Автореф. дисс. к.т.н. - СПб.: СПбГЭТУ 1996.
  2. Дмитриев С.В. Доклад на третьем Международном симпозиуме "Аэрокосмические приборные технологии". Проблемы электродиффузии в сильноточной металлизации. - СПб.: ГУАП, 2004.