Поверхностной энергии в ее анизотропной части и работе испускания электронов из металлов посвящено значительное число работ, поскольку ее необходимо учитывать при решении практических задач, с которыми сталкиваются и техники, и технологи. Так, в микроэлектронике уже используются технологии на наноуровне 14–16 нм, но на заре материалы с размерами 7–10 нм. Для размеров таких материалов характерны совершенно новые физические свойства. В этой области сами объекты начинают проявлять размерную зависимость, и на их свойствах сказывается и ее анизотропия.
В работе [1] методом термодинамики поверхности получены аналитические соотношения для размерной зависимости поверхностной энергии сферической наночастицы, которые в случае малой и большой кривизны у этой частицы соответствуют формулам Толмена и Русанова, а в промежуточной области они отличаются.
В работе [2] автором был разработан метод измерения поверхностной энергии в металлах.
Этот метод дает возможность измерять не только поверхностную энергию, но и диффузионную ползучесть в поверхности металлов, которая оказывается чувствительной к химическому и структурному состоянию поверхности. Суть этого метода заключается в приложении малых нагрузок к фольге или проволочке, а затем нахождении уравновешивающихся сил при растяжении. По существу, этот метод похож на метод «нулевой ползучести», предложенный еще в начале 1930-х гг.
В работе [3] для исследования толщины металлических пленок, где поверхностная энергия играет решающую роль, использовались классическая термодинамика поверхности, электронно-статистическая металлов. Однако вопрос о толщине пленки остается открытым.
В работе [4] методом электронно-статистического расчета поверхностной энергии металлов определен метод оценки для работы выхода электронов из металла со структурами, имеющими гексагональную и ромбическую сингонию.
В работе [5] определена связь поверхностной энергии в ее анизотропной части с кристаллической структурой. Основываясь на экспериментальных исследованиях и теоретических расчетах, показано, что модель, которая названа коротко координационным плавлением кристалла (МКП), связана не только с кристаллической структурой, но и со свойствами ее поверхности.
Начиная с работ Таммана (1920-е гг.), уже 100 лет, измерению поверхностной энергии уделяется большое внимание, особенно в связи с исследованием наноструктур, где роль поверхности является определяющей при изготовлении устройств микро- и наноэлектроники.
В перечисленных выше работах предлагаются различные модели, которые описывают физические свойства поверхности и позволяют вычислять ее поверхностную энергию. Однако вопрос о толщине слоя атомарно-гладких металлов остается открытым, хотя экспериментально этот вопрос уже продвигается. Например, методом рассеяния скользящих рентгеновских лучей определены толщины у золота (1,2 нм) и у кремния (3,1 нм) [6]. То есть они представляют собой наноструктуры.
Настоящая работа является продолжением работы [7], где предлагается эмпирическая модель, которая позволяет рассчитывать не только поверхностную энергию, но и толщину поверхностного слоя металлов. Если к нашей модели применить модель А.И. Русанова, то мы объясняем и анизотропию кристаллических решеток металлов, что и является целью настоящей работы.
Описание эмпирической модели
Нами в работе [7] при рассмотрении температуры плавления малых частиц было получено уравнение
(1)
где параметр R(I) определяется выражением
(2)
где σ – поверхностное натяжение, υ – молярный объем, R – универсальная газовая постоянная, Т – температура.
Экспериментальные исследования, проведенные нами с физическими объектами на тонких пленках различной природы: механических, оптических, магнитных [8], – а также результаты других исследователей [9] показали размерную зависимость всех физических свойств малых частиц и тонких пленок. Эта зависимость выглядит следующим образом:
(3)
где A(r) – физическое свойство (механическое и т.д.), которое зависит от линейного размера (размерный эффект), А0 – физическое свойство (объемное), которое от размера не зависит.
Ясно, что поверхность твердого тела представляет собой наноструктуру. То же самое относится и к жидкости.
Уравнения (1), (2) и (3) имеют одинаковую структуру и расходятся при r → 0, поэтому доопределим уравнение (3) и запишем окончательно:
(4)
Схема модели показана на рисунке. Она представляет собой идеальный атомарно-гладкий монокристалл без вакансий, дислокаций и других дефектов. Слой R0 называется дебройлевским слоем, и для чистых металлов его толщина находится от 0,1 Å до 1 Å. В слое R0 происходят квантованные размерные процессы. В слое R(I) отмечают коллектив атомов металла и потому их называют внутренними или коллективными явлениями. Размерные эффекты такого типа существуют только в наноструктурах и для металлов составляют от 1 до 7 нм. В этом слое с поверхностными состояниями осуществляется релаксация или реконструкция самой атомной поверхности [6]. Для атомов золота константа кристаллической решетки равна 0,41 нм и релаксация происходит на трех атомных слоях. Такие эффекты проявляются только в наноструктурах.
R – слой де Бройля; R1 – слой R(I); R2 – слой R(II); R∞ – слой массивного образца Схема модели показана поверхностного слоя
Толщина слоя R(II) равна ориентировочно R(II) ≈ 9R = R∞ (< 100 нм). Этот слой связан с объемной фазой, и в этом слое протекают размерные процессы, связанные с длиной свободного пробега фононов, электронов, магнонов и другими квазичастицами в твердом теле. Иными словами, этот слой связан с наноструктурой, толщина которой по оценкам многих авторов не превышает 100 нм [9].
Толщина слоя R(I) связана с поверхностной энергией σ соотношением (2). В работе [7] нами установлена связь
σ(Дж/м2) = 10–3∙Tm(K). (5)
Здесь Tm(K) обозначает температуру плавления. Уравнение (5) оказалось справедливым для большинства металлов и для других соединений. Когда положим, что T(K) = Tm(K), то получим
(6)
Из формулы (6) следует, что поверхностный слой R(I) зависит лишь от молярного объема искомого элемента, который можно вычислить по известной формуле υ = M/ρ, M – молярная масса (г/моль), ρ – плотность (г/см3).
А.И. Русанов в работе [10] получает следующую линейную зависимость
(7)
где K – коэффициент пропорциональности, зависящий от температуры и состава фазы (α) (рисунок, слой R(I)).
Проведем сравнение формул (5) и (7):
(8)
Откуда имеем
(9)
Здесь Tm – температура плавления наноструктуры: υ = M/ρ, M – молярная масса (г/моль), ρ – плотность (г/см3).
Наличие в уравнении (9) координаты r (x, y, z) или r (a, b, c) приводит к анизотропии поверхностного натяжения:
(10)
Поверхностная энергия d-элементов
Попробуем использовать полученные выше соотношения (10) для определения поверхностного натяжения d-металлов, для которых эта величина экспериментально определена методом «нулевой ползучести» [11] (табл. 1).
Температуры плавления V, Ta, W, Re, Os (которые лежат больше 3000 К) лучше вычислять при σ = 0.7∙10-3∙Tm. В остальном величина поверхностного натяжения лежит в пределах экспериментальных данных.
Таблица 1
Поверхностное натяжение d-металлов (Ме-металл)
Ме |
Tm, К |
σМ, Дж/м2 |
σexp, Дж/м2 [11] |
Sc |
1814 |
1.814 |
– |
Y |
1795 |
1.795 |
– |
Ti |
1943 |
1.943 |
1.928 |
Zr |
2125 |
2.125 |
1.730 |
Hf |
2506 |
2.506 |
1.670 |
V |
3695 |
3.695 (2.587) |
1.925 1.950 |
Nb |
2741 |
2.741 |
2.210 |
Ta |
3290 |
3.290 (2.303) |
2.260 2.480 |
Cr |
2130 |
2.130 |
2.080 |
Mo |
2896 |
2.896 |
2.630 |
W |
3695 |
3.695 (2.587) |
2.653 2.690 |
Mn |
1517 |
1.517 |
– |
Tc |
2430 |
2.430 |
– |
Re |
3459 |
3.459 (2.421) |
2.900 |
Fe |
1812 |
1.812 |
2.170 |
Ru |
2607 |
2.607 |
– |
Os |
3306 |
3.306 (2.314) |
– |
Co |
1768 |
1.768 |
1.970 |
Rh |
2236 |
2.236 |
2.280 |
Ir |
2739 |
2.739 |
2.720 |
Ni |
1726 |
1.726 |
1.920 |
Pd |
1827 |
1.827 |
1.520 |
Pt |
2041 |
2.041 |
2.040 |
Cu |
1357 |
1.357 |
1.520 |
Ag |
1235 |
1.235 |
1.205 |
Au |
1337 |
1.337 |
1.350 |
Zn |
693 |
0.693 |
0.868 |
Cd |
594 |
0.594 |
0.675 |
Таким образом, эмпирическая модель поверхности твердых тел, основанная на идеях Гиббса (1839–1903), Толмена (1949–1951), Русанова (1967) и наших работ (2018, 2019), неплохо согласуется с экспериментальными данными и позволяет рассчитывать теоретически многие процессы на поверхности твердых тел и в наноструктурах. Здесь особо нужно подчеркнуть заслугу исследователей Кабардино-Балкарского государственного университета им. X.М. Бербекова, которые с 1950-х гг. внесли и теоретический, и экспериментальный вклад в теорию поверхности твердого тела и работы которых мы цитируем постоянно.
Толщина поверхностного слоя кубических d-элементов
Переходные элементы в таблице Д.И. Мен- делеева подразделяют на d-элементы, лантаниды (или 4f-элементы) и актиниды (5f-элементы). Различия между ними обусловлены различием в строении электронных оболочек. Сами d-электроны оказывают сильное влияние на соседние атомы и ионы, предопределяя особую природу химических связей.
В табл. 2 приведена толщина поверхностного слоя d-металлов, рассчитанная по уравнению (6) около температуры плавления (за исключением атомов 7 периода). Все размеры R(I) имеют значения около 2 нм (исключая иттрий и скандий).
Таблица 2
Толщина поверхностного слоя d-металлов (Ме-металл)
Ме |
R(I), нм |
Ме |
R(I), нм |
Ме |
R(I), нм |
Ме |
R(I), нм |
Sc |
3.6 |
Ta |
2.6 |
Fe |
1.7 |
Pd |
2.1 |
Y |
4.4 |
Cr |
1.7 |
Ru |
2.0 |
Pt |
2.2 |
Ti |
2.5 |
Mo |
2.3 |
Os |
2.0 |
Cu |
1.7 |
Zr |
3.4 |
W |
2.3 |
Co |
1.6 |
Ag |
2.5 |
Hf |
3.2 |
Mn |
1.8 |
Rh |
2.0 |
Au |
2.4 |
V |
2.3 |
Tc |
1.8 |
Ir |
2.0 |
Zn |
2.1 |
Nb |
2.6 |
Re |
2.1 |
Ni |
1.6 |
Cd |
3.1 |
Таблица 3
Толщина поверхностного слоя R(I) лантаноидов
Me |
R(I), нм |
Me |
R(I), нм |
Me |
R(I), нм |
Ce |
5.0 |
Eu |
7.0 |
Er |
4.4 |
Pr |
5.0 |
Gd |
4.8 |
Tm |
4.4 |
Nd |
5.0 |
Tb |
4.6 |
Yb |
6.0 |
Pm |
4.8 |
Dy |
4.6 |
Lu |
4.3 |
Sm |
4.8 |
Ho |
4.5 |
– |
– |
В табл. 3 толщина слоя R(I) приведена для лантаноидов.
Здесь наблюдаются значения от 4 нм до 7 нм, что в два раза больше толщин слоя для d-элементов. Именно поэтому f-элементы не образуют высокоэнтропийных сплавов.
Анизотропия поверхностного слоя d-элементов
Учтем теперь уравнения (5) и (9) и рассчитаем толщину поверхностного слоя гексагональных d-элементов, т.е. учтем их анизотропию (табл. 4).
Таблица 4
Толщина поверхностного слоя гексагональных d-элементов
Металл |
Решетка |
R(I)М, нм |
R(I)а, нм |
R(I)с, нм |
Sc |
гексагональная (α-Sc) |
3,6 |
2,0 (6) |
7,9 (15) |
Y |
гексагональная |
4,4 |
2,6 (8) |
10,2 (18) |
Ti |
гексагональная плотноупакованная (α-Ti) |
2,5 |
1,4 (5) |
5,6 (12) |
Zr |
гексагональная |
3,4 |
1,8 (3) |
7,4 (14) |
Hf |
гексагональная |
3,2 |
2,5 (2) |
9,6 (19) |
Tc |
гексагональная |
1,8 |
1,1 (4) |
4,1 (9) |
Re |
гексагональная (плотноупакованная) |
2,1 |
1,1 (4) |
4,8 (11) |
Ru |
гексагональная |
2,0 |
1,1 (4) |
4,2 (10) |
Os |
гексагональная |
2,0 |
1,1 (4) |
4,3 (10) |
Co |
гексагональная |
1,6 |
0,9 (4) |
3,7 (9) |
Zn |
гексагональная |
2,1 |
1,0 (4) |
6,5 (13) |
Cd |
гексагональная |
3,1 |
1,3 (4) |
9,6 (17) |
Здесь в скобках приведены значения na = R(I)a/ra, nc = R(I)c/rc (ra, rc – постоянные кристаллических решеток элементов), а na, nc – представляют собой число монослоев поверхностного слоя.
Заключение
В настоящей работе в итоге получено уравнение (6), которое позволяет рассчитывать толщину поверхностного слоя совершенных монокристаллов, что особенно важно при разработке устройств, основанных на наноструктурах. Уравнение (5) позволяет с хорошей точностью рассчитывать поверхностную энергию (поверхностное натяжение) не только металлов, но и других твердых тел. Уравнение (10) позволяет учитывать анизотропию кристаллической структуры металлов, что, несомненно, важно в наноустройствах.
Работа выполнена по программе МОН РК. Гранты № 0118РК000063 и № Ф.0781.