В работе методом ультрафиолетовой рентгеновской спектроскопии изучены электронные процессы происходящие на границе раздела GaAs(111)/(Cs,O). Был исследован процесс модификации спектра грани GaAs(111)А по мере осаждения атомов Сs. Установлено, что при покрытиях 0.3 ML вблизи потолка валентной зоны возникают индуцированные цезием поверхностные состояния, которые смыкаются с потолком валентной зоны. По мере увеличения покрытия ширина поверхностных состояний наведенных Сs увеличивается, и уже при покрытии 1 ML состояния находятся вблизи уровня Ферми, но не перекрывают его. Таким образом, следует подчеркнуть отсутствие полной металлизации поверхности GaAs(111)A вплоть до монослойного покрытия Cs. При адсорбции Сs при степенях покрытия от 0,5 ML до 1 ML пик с энергией 2,7 эВ смещается в сторону увеличения энергий связи на 0,3 эВ, что свидетельствует о взаимодействии Cs с данным состоянием. Подобное взаимодействие характеризуется гибридизацией между поверхностным состоянием Cs с атомами галлия и мышьяка. При покрытии 1 ML образуется пик шириной около 0,4 эВ и энергией 6,3 эВ, возникновение которого, вероятно, можно объяснить межатомным взаимодействием Cs-Cs при образовании Cs-кластеров. Адсорбция цезия приводит к переносу заряда от Cs к подложке и такое взаимодействие носит преимущественно ковалентный характер, при этом на поверхности образуется дипольный слой, определяющий уменьшение работы выхода. При малых концентрациях ионизация адслоя связана с переносом 6s-электронов Cs в антисвязывающее поверхностное состояние Ga преимущественно p_z-симметрии. Кислород адсорбированный на поверхности GaAs проявляя сильные акцепторные свойства, связывается с цезием и образует диполь Cs₂O, который приводит к увеличению дипольного момента на единицу площади и к дальнейшему понижению работы выхода.