Основное содержание проводимых исследований - комплексное исследование механизма и кинетики травления фосфида индия в низкотемпературной плазме магнетронного разряда и изучение влияния этого вида обработки на электрофизические свойства обрабатываемого полупроводника. Устанавливаются вид и характер возбуждения частиц, ответственных за травление, закономерности генерации и гибели этих частиц. Многостадийность процесса травления в химически активной плазме вызывает необходимость изучения каждой из отдельных стадий этого гетерогенного процесса, а именно, адсорбции травящих частиц на обрабатываемой поверхности, химической реакции с образованием летучих соединений и десорбции продуктов реакции. Кроме того, на процесс химического травления накладывается процесс физического распыления обрабатываемого материала. Эти процессы складываются неаддитивно. В результате процесса полимеризации, проходящего параллельно процессу травления, возможно осаждение ингибитирующих веществ, снижающих скорость травления и влияющих на характер получаемой поверхности. В работе установлены закономерности влияния на скорость и качество травления различных физико-химических факторов: мощности разряда, давления в реакторе, состава и расхода плазмообразующего газа, материала контактной маски и температуры подложки.
Экспериментальные исследования проводились с использованием плазмохимического реактора магнетронного типа. Для диагностики плазмы используется эмиссионно-спектральный контроль, а динамика изменения микрорельефа обрабатываемой поверхности с использованием лазерного метода контроля.