Словари
определяют информацию как "сведения об окружающем мире и протекающих в нем
процессах". Информация выступает как знание о структурах. В химии язык, на
котором записано устройство структуры вещества, частично известен и включает в
себя законы
Д.И. Менделеева, Е.С. Федорова, стереохимии и кристаллохимии. Но сами вещества
при своем взаимодействии пользуются более простым "конфигурационным" языком,
включающим программы их связывания (программы комплементарности) в более
крупные агрегаты. Комплементарность структурных единиц вещества закодирована
содержащейся в них информацией (зарядом, полярностью, размерами,
нуклеофильностью и т.д.). При этом существенно, что рост кристаллов является
дискретным процессом и осуществляется практически единичным путем (вероятность
строго определенного наращивания структуры в конфигурационном пространстве
системы взаимодействующих атомов близка к единице). Иное дело в наномире -
здесь агрегирование структурных единиц происходит по программам. Структура, таким образом,
регистрирует информацию и выступает как память пути образования нанообъекта.
Рост структуры происходит по ветвящимся путям в конфигурационном пространстве.
В данном сообщение эти общие положения конкретизированы в предложенной
эволюционной модели формирования двумерных наноструктур.
В качестве основы для получения локальной структуры может быть выбран один из типов универсальных оптимумов, в частности, полигоны или полиэдры. В их вершинах могут располагаться атомы, комплексные частицы или определенные локальные совокупности атомов нескольких сортов - молекулы. Процедура создания локальной структуры Rloc из этих универсальных оптимумов {P} определяется законом Tim : Rloc = L{P},im ({P}i, Tim), а процедура размножения подобных локальных структур - эволюционным законом Tk : R{P}im = Rloc (Tk). В общем случае процесс получения совокупностей атомов, которые соответствуют образующимся структурам с дальним порядком, может быть записан следующим образом: R = L{P},im ({P}i, (Tim, Tk)), где: {P} = {Pg или Ph} - символ типа изогона - «ядра» локальной структуры: или полигон (Pg) вида {n} или полиэдр (Ph) типа {n44}; i - индекс ветвления «ядра», который определяется типом изогона и способом ветвления (посредством вершин iv, ребер (сторон) ir или граней ig изогона); m [0, 1, 2,...] - целочисленный индекс, характеризующий размерный параметр локальной структуры и численно равный количеству изогонов-«звеньев» между «ядрами» в ветви структуры, при этом относительное «межъядерное» расстояние в единицах размерного параметра изогона в направлении ветвления равно (m + 1); k £ (i - 1) - индекс ветвления вторичных «ядер».
Цикл работы генератора (1) (одна генерация ветвлений «ядер») определяет параметр идентичности структуры дальнего порядка в направлении ветвления, а количество этих циклов - протяженность упорядоченной структуры. Тип промежуточных между «ядрами» изогонов-«звеньев» определяется типом «ядер», а индексы их ветвления считаются следующими: iv = ir = ig = 1. Для «ядер» в виде полигонов {n} имеем v = r = n, а возможные значения индексов ветвления iv = ir £ n. Для полиэдров-«ядер» {n44} в соответствии с формулой Эйлера имеем n = g = r - v + 2, а возможные значения индексов ветвления iv £ (2 + r - n), ir £ (n + v - 2) и ig £ n. В процессе размножения локальных структур Rlok допускается сращивание соседних ветвей структуры между собой за счет вторичных изогонов-«ядер», обуславливающее образование R{P}im-структур, элементы которых полностью или частично заполняют предоставленное им пространство. В случае ограничения роста ветвей другими ветвями этой же структуры образуются фрактальные структуры - кластеры или дендримеры.
Для полигонных и полиэдрических структур параметр ветвления «ядра» i (совместно с параметром k = i-1) определяет метрическую размерность структуры дальнего порядка R{P}im и форму ячейки. Параметр m определяет размеры этой ячейки в единицах размерного параметра «ядра» в направлении его ветвления. Для получения полигонных структур в качестве исходных элементов рассматривали только полигоны с n = 3, 4, 6, 8 и 12, а для получения полиэдрических структур - полиэдры призматического вида {n44}. Закон генерирования структур с помощью этих элементов определим следующим образом:
R{Pg}nm = L{Pg},nm ({Pg}n, (Tnm, Tn-1)), R{Ph}(n/2)m = L{Ph},(n/2)m ({Ph}n/2, (T(n/2)m, T(n/2)-1)).
В случае генерирования двумерных однослойных структур в качестве вершин элементов-полигонов можно рассматривать атомы. При генерировании двумерных двухслойных базовых структур в качестве геометрических центров элементов рассматриваются геометрические центры соответствующих полиэдров. Для всех вариантов полученных совокупностей атомов в виде полигонных или полиэдрических слоев перфорированного и не перфорированного типа проанализировано условие топологической идентичности вершин в кристаллохимическом смысле.
Динамика образования простых R{Pg}im-структур (т.е. из полигонов {3}, {4} и {6}) и особенности их эволюции в процессе роста характеризуют их топологические характеристики. Очевидно, что только структуры с минимальными значениями параметра m состоят из полигонов с топологически идентичными вершинами.
Двумерные полигонные структуры получены данным методом из набора возможных R{Pg}im-структур при значениях индексов i = n и m = 0 или 1 (табл.1). Однако только часть структурных представителей этого набора соответствуют одиннадцати полигонным структурам с топологически идентичными вершинами полигонов (двумерным сеткам Шлефли). В частности, двумерным сеткам 33336, 488 и 666 соответствуют только структуры R{3}32, R{8}40 и R{6}30 . Кроме того, большинство гетерополигонных структур могут быть получены только в том случае, если в качестве «ядра» R{Pg}im-структуры выбраны объединения двух разных типов полигонов (табл. 1, структуры 2 - 4, 6, 7, 9 - 11).
Таблица 1
Двумерные однослойные базовые структуры (двумерные сетки Шлефли) и соответствующие им варианты R{Pg}im -структур
Базовая структура |
Характеристики полигона-«ядра» |
Характеристика R{Pg}im -структуры |
||
Символ |
Симметрия |
Обозначение |
Топология полигонов |
|
333333 |
{3} |
3m |
R{3}30 |
3(6) |
R{3}31 |
3(5) |
|||
33336 |
{3} |
3m |
R{3}32 |
3(4) |
{6}È6{3} |
6mm |
R({6}È6{3})60 |
3(3), 6(1) |
|
33344 |
{4}È2{3} |
mm2 |
R({4}È2{3})40 |
4(2), 3(3) |
33434 |
{3}È{3} |
mm2 |
R({3}È{3})40 |
3(3) |
444 |
{4} |
4mm |
R{4}40 |
4(4) |
R{4}41 |
4(3) |
|||
R{4}40 |
4(2) |
|||
3636 |
{3} |
3m |
R{3}30, R{3}31 |
3(2) |
{6} |
6mm |
R{6}60 |
6(2) |
|
{6}È3{3} |
3m |
R({6}È3{3})30 |
6(2), 3(2) |
|
3464 |
{4}È{3} |
m |
R({4}È{3})20 |
4(2), 3(1) |
{6}È3{4} |
3m |
R({6}È3{4})30 |
6(1), 4(2) |
|
666 |
{6} |
6mm |
R{6}30 |
6(3) |
488 |
{8} |
8mm |
R{8}40 |
8(2) |
{8}È{4} |
4mm |
R({8}È{4})40 |
8(2), 4(1) |
|
46.12 |
{6}È{4} |
m |
R({6}È{4})30 |
6(1), 4(1) |
{12}È3{6} |
3m |
R({12}È3{6})30 |
12(1), 6(1) |
|
{12}È3{4} |
3m |
R({12}È3{4})30 |
12(1), 4(1) |
|
3.12.12 |
{12} |
12mm |
R{12}60 |
12(2) |
{12}È3{3} |
3m |
R({12}È3{3})30 |
12(2), 3(1) |
Отметим, что для большинства полигонных структур возможны два или более вариантов их образования. Данная многовариантность может быть обусловлена особенностями роста и эволюции структуры из заданного полигона или гетерополигонного модуля. Эти особенности являются результатом наличия как минимум двух типов ветвления «ядер»: ветвление с помощью вершин iv или ветвление с помощью сторон ir полигона (табл.1), а также поливариантностью ветвления вторичных «ядер» R{Pg}im-структур при пересечении в них соседних ветвей.
Полиэдрические слои, соответствующие двумерным двухслойным базовым структурам, получены из 11 двумерных полигонных структур. Все они могут быть представлены как результат размножения локальных R{Ph}im-структур, образованных из полиэдров призматического вида {n44} или их возможных объединений (табл.2), по аналогии с полигонными структурами (табл.1). Исключение представляет октатетраэдрический слой, представленный из тетраэдров {333}, из октаэдров {3333} или их возможного объединения (4{333}È3{3333}) (табл. 2).
Таблица 2
Двумерные двухслойные базовые структуры (полиэдрические слои) и соответствующие им варианты R{Ph}im -структур
Комбинации полиэдров-изогонов |
Характеристика полиэдра-«ядра» |
Характеристика R{Ph}im-структуры |
||
Символ |
Симметрия |
Обозначение |
Топология полиэдров |
|
4{333} + 3{3333} |
{333} |
43m |
R{333}30 |
4(4) |
{3333} |
m3m |
R{3333}60, R{3333}30 |
6(3) |
|
6{344} |
{344} |
3m |
R{344}30 |
6(6) |
R{344}31 |
6(5) |
|||
4{344} + {644} |
{344} |
3m |
R{344}32 |
6(4) |
{644}È6{344} |
6/mmm |
R({644}È6{344})60 |
6(3), 12(1) |
|
3{344} + 2{444} |
{444}È2{344} |
mmm |
R({444}È2{344})40 |
8(2), 6(3) |
3{344} + 2{444} |
{344}È{344} |
mmm |
R({344}È{344})40 |
6(3) |
4{444} |
{444} |
m3m |
R{444}40 |
8(4) |
R{444}41 |
8(3) |
|||
R{444}40 |
8(2) |
|||
2{344} + 2{644} |
{344} |
3m |
R{344}30, R{344}31 |
6(2) |
{644} |
6/mmm |
R{644}60 |
12(2) |
|
{644}È3{344} |
3m |
R({644}È3{344})30 |
12(2), 6(2) |
|
{344} + 2{444} + {644} |
{444}È{344} |
mm2 |
R({444}È{344})20 |
8(2), 6(1) |
{644}È3{444} |
3m |
R({644}È3{444})30 |
12(1), 8(2) |
|
3{644} |
{644} |
6/mmm |
R{644}30 |
12(3) |
{444} + 2{844} |
{844} |
8/mmm |
R{844}40 |
16(2) |
{844}È{444} |
mm2 |
R({844}È{444})40 |
16(2), 8(1) |
|
{444} + {644} + {12.44} |
{644}È{444} |
mm2 |
R({644}È{444})30 |
12(1), 8(1) |
{12.44}È3{644} |
3m |
R({12.44}È3{644})30 |
24(1), 12(1) |
|
{12.44}È3{444} |
3m |
R({12.44}È3{444})30 |
24(1), 8(1) |
|
{344} + 2{12.44} |
{12.44} |
12/mmm |
R{12.44}60 |
24(2) |
{12.44}È3{344} |
3m |
R({12.44}È3{344})30 |
24(2), 6(1) |
Таким образом, дизайн в соответствии с геометрико-топологическим способом вывода вероятных двумерных структур отражает рост и эволюцию структуры из заданного изогона-модуля (полигона или полиэдра). В зависимости от условий образования и размножения исходной локальной структуры, а также пересечения ближайших ветвей роста R{P}im-структуры, имеем более широкое многообразие соответствующих им вероятных двумерных структур. При этом не все они являются структурами с топологически идентичными вершинами изогонов, а, следовательно, не все соответствуют двумерным базовым структурам, которые характеризуются кристаллографически эквивалентными позициями для атомов. Следует отметить, что геометрико-топологический подход к выводу вероятных двумерных структур является более алгоритмизированным, чем кристаллохимический, и практически аналогичен работе соответствующих клеточных автоматов.
Библиографическая ссылка
В.В. Иванов, Н.П. Шабельская, В.М. Таланов ИНФОРМАЦИЯ И СТРУКТУРА В НАНОМИРЕ: МОДУЛЯРНЫЙ ДИЗАЙН ДВУМЕРНЫХ ПОЛИГОННЫХ И ПОЛИЭДРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР // Современные наукоемкие технологии. – 2010. – № 10. – С. 176-179;URL: https://top-technologies.ru/ru/article/view?id=26070 (дата обращения: 03.01.2025).