Целью настоящей работы было исследование поверхности арсенида галлия, подвергнутого полировке в водородсодержащей низкотемпературной плазме магнетронного разряда, с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47.
В качестве экспериментальных образцов были использованы подложки GaAs, имеющие поверхность после стандартной жидкостной полировки. Подготовка подложки арсенида галлия заключалась в том, что половина поверхности подложки покрывалась защитной маской из фоторезиста. После этого подложка подвергалась обработке в течение 10 минут в низкотемпературной плазме.
Изучение поверхности после обработки в плазме проводилось на микроскопе Solver Р47 с использованием "полуконтактного" метода в режиме, представленном в виде листинга в табл.1. Перед проведением измерений на микроскопе фоторезистивная маска удалялась. Сложность эксперимента заключалась в том, чтобы в изображении находилась именно граница между двумя областями. Это обеспечивалось путем пошагового уменьшения области сканирования.
Таблица 1. Изучение поверхности после обработки в плазме проводилось на микроскопе Solver Р47 с использованием "полуконтактного" метода в режиме
|
SFM NT-MDT v8.70 |
|
SCAN : Height Direction=+X+ |
|
FBin : MAG FBGain= 1.500 |
|
SPnt = 5.068 nA BiasV = 0.000 v |
|
VEL = 32710 A/s Time =146.15 s |
|
Step = 113.7 A NX= 256 NY= 256 |
|
ADC: x1, LP(kHz)= 3.1, Aver= 7 |
|
Modulation: Probe |
|
264.652 kHz, 0.202v, x1 , Phase= 0 |
|
SD: >NF , Harmonic=1 , Gain=2.0 |
На рис.1 представлены результаты исследований поверхности. Как видно из представленного изображения, полученного на СЗМ, поверхность после обработки в плазме характеризуется значительно меньшими показателями шероховатости. Амплитуда выступов уменьшилась в 2 раза.
Рисунок 1. Графическое представление результатов исследования поверхности.
Таким образом, исследование поверхности арсенида галлия, обработанного в низкотемпературной плазме, с помощью СЗМ показывает возможность получения атомарно-гладкой поверхности.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Беневоленский С.Б., Истомина Н.Л. Реактивное ионно-плазменное травление арсенида галлия в плазме водорода с использованием магнетронного разряда. - Известия ВУЗов, Сер. Электроника. - 1996. - №1-2 С.111-113.
Библиографическая ссылка
Беневоленский С.Б., Жалнова Е.В., Кубьяс П.В. ИССЛЕДОВАНИЕ С ПОМОЩЬЮ СЗМ ПОВЕРХНОСТИ GAAS, ОБРАБОТАННОЙ В НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ХИМИЧЕСКИ АКТИВНОЙ ПЛАЗМЕ МАГНЕТРОННОГО РАЗРЯДА // Современные наукоемкие технологии. – 2005. – № 5. – С. 96-97;URL: https://top-technologies.ru/ru/article/view?id=22975 (дата обращения: 21.11.2024).