Scientific journal

Modern high technologies

ISSN 1812-7320

"Перечень" ВАК

ИФ РИНЦ = 0,940

В экспериментах использовались полированные и протравленные пластинки Si (111) n=10¹⁷ см^-3, GaAs (111) n=10¹⁹ см^-3, Ge (111) n=10¹⁴ см^-3 электронного типа проводимости. Работу выхода измеряли методом вибрирующего конденсатора (метод Кельвина). Для измерения фотопроводимости использовался универсальный монохроматор УМ-2. Излучение лазера модулировалось с частотой 700 Гц. В ходе проведенного эксперимента было обнаружено, что лазерное облучение поверхности полупроводников вызывает снижение работы выхода с поверхности всех исследуемых полупроводников. Была также изучена временная зависимость изменения термодинамической работы выхода. В первые минуты после включения лазера наблюдалось постепенное уменьшение работы выхода. При дальнейшем облучении, значение работы выхода оставалось практически неизменным. Затем прекращалось воздействие лазерного облучения на исследуемые поверхности, при этом работа выхода для всех образцов снова увеличивалась, достигая своего первоначального значения. Наблюдаемое после прекращения лазерного облучения поверхности полупроводников увеличение термодинамической работы выхода объясняется, очевидно, происходящей адсорбцией из газовой среды. Уменьшение термодинамической работы выхода связывается с явлением фотодесорбции. Значительное уменьшение работы выхода на кремнии по сравнению с остальными образцами объясняется наличием на поверхности кремния окисной пленки большей толщины, чем на поверхностях германия или арсенида галлия. Сравнение спектров поверхностной фотопроводимости для GaAs (111), Si (111) и Ge (111) до и после лазерного облучения свидетельствует не только об изменении интенсивности поверхностной фотопроводимости, но и о появлении новых пиков с энергиями меньшими ширины запрещенной зоны. При прекращении лазерного облучения поверхности спектральные характеристики возвращаются к исходным.