Научный журнал

Современные наукоемкие технологии

ISSN 1812-7320

"Перечень" ВАК

ИФ РИНЦ = 0,940

• Авторы
• Файлы
• Ключевые слова
• Литература

Захвалинский В.С. 1 Ву Ван Туан 1 Пилюк Е.А. 1 Петренко П.А. 2

---

1 Белгородский государственный национальный исследовательский университет

2 Institute of Applied Physics, Academyof Science of Moldova

Статья в формате PDF

286 KB

1. Furdyna J.K. Diluted magnetic semiconductors // J. Appl. Phys. – 1988. – Vol. 64, № 4. – p. R29-R64.

2. Diluted Magnetic Semiconductors, Ser.,Semiconductors and semimetals, Vol. 25, Ed. By J.K.Furduna and J.Kossut, Academic Press. Inc. (London) LTD, – 1988. p.410.

3. Semimagnetic Semicoductors and Diluted Magnetic Semiconductors, Ed. By Averous M. and Balkanski M., Plenum Press, New York and London, – 1991, p. 274.

4. Magnetotransport of (Cd1-x-y ZnxMny)3As2 under pressure / R. Laiho, K.G. Lisunov, M.L. Shubnikov, V.N. Stamov, and V.S. Zakhvalinskii,. phys. stat. sol. (b) 211, (1999), p. 559.

Разбавленные магнитные полупроводники (РМП), представляя собой неупорядоченные магнитные системы, обнаруживают переход в фазу спинового стекла, образование антиферромагнитных кластеров, демонстрируют интересные фотомагнитные, магнитооптические эффекты и особенности в явлениях переноса. Многокомпонентность этих соединений позволяет варьировать их основные параметры в широких пределах путем изменения состава твёрдых растворов [1-3].

Монокристаллы (Cd1-x-yZnxMny)3As2 (x + y = 0,4, 0 ≥ y ≥ 0,08) были получены модифицированным методом Бриджмена. Методом рентгенофазового анализа установлено, что все исследованные образцы были однофазными и имели тетрагональную сингонию, пр.гр. P42/nmc.

На основании результатов исследования температурных зависимостей электропроводности и коэффициента Холла нами были рассчитаны концентрации и подвижности носителей заряда для всех исследованных образцов в магнитном поле 1 Тл.

При температуре 77 К, в магнитном поле 1 Тл, наблюдается смена знака коэффициента Холла, что указывает на переход от дырочной к электронной проводимости уже при содержании Mn y = 0,02, а увеличение его дальнейшей концентрации приводит к росту концентрации свободных электронов n от 1,4·1016 см–3 (y = 0,04) до 1,4·1018 см–3 (y = 0,08).

В ранее исследованных образцах (Cd1-x-yZnxMny)3As2 (x + y = 0,2, 0 ≥ y ≥ 0,08) и (x + y = 0,3, 0 ≥ y ≥ 0,08) смены знака носителей заряда с увеличением концентрации Mn не наблюдалось [4].

Библиографическая ссылка