Проведена оптимизация оборудования для вакуумно-плазменных процессов, проходящих в магнетронном реакторе для травления материалов в низкотемпературной плазме. Отличием подхода, внедряемого авторами, является совершенствование конструкции магнетронного реактора с замкнутым дрейфом электронов вокруг электрода-подложкодержателя.
Optimization of the equipment for the is vacuum-plasma processes transiting in magnetron reactor for etching of materials in the low-temperature plasma is led. Difference of the authors approach consists in construction perfection of magnetron reactor with closed drift of electrons round an electrode- substrate holder.
1. Беневоленский С.Б., Жалнова Е.В. Травление фосфида индия в химически низкотемпературной плазме магнетронного разряда // Современные наукоёмкие технологии. - 2005. - №10. - С. 77-78.
2. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. - М.: Высшая школа, 1987. - 376 с.
3. Жалнова Е.В. Изучение механизма реактивного ионно-плазменного травления фосфида индия // Современные наукоёмкие технологии. - 2008. - №2. - С. 111-112.
4. Смирнов Б.М. Введение в физику плазмы. - М.: Наука, 1982. - 224 с.
5. Русанов В.Д., Фридман А.А. Физика химически активной плазмы. - М.: Наука, 1984. - 420 с.
6. Жалнова Е.В. Кинетика плазмохимического травления фосфида индия в магнетронном разряде // Международный журнал экспериментального образования. - 2011. - №3. - С. 133-134.
7. Феодосьев В.И. Сопротивление материалов. - 10-е изд. перераб. - М.: Наука, 1999. - 591 с.