Журнал Современные наукоемкие технологии 1812-7320 Общество с ограниченной ответственностью "Издательский Дом "Академия Естествознания" ART-25334 ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ AlN/Al2O3 И GaN/Al2O3 ДЛЯ АКУСТОЭЛЕКТРОННЫХ СВЧ УСТРОЙСТВ Двоешерстов М.Ю. Beljaev A.V Чередник В.И. Denisova A.V Беляев А.В. Belyaev A.V. Вологда Денисова А.В. Denisova A.V.3 Сидорин А.П. Sidorin A.P.3 01 09 2010 9 24 30 This is an open-access article distributed under the terms of the CC BY 4.0 license. https://top-technologies.ru/article/view?id=25334

В работе проведены экспериментальные измерения кристаллографических свойств гетероэпитаксиальных тонкопленочных структур нитрида алюминия AlN, нитрида галлия GaN, выращенных на подложках из сапфира Al2O3 методом молекулярно-лучевой эпитаксии для создания на их основе СВЧ акустоэлектронных устройств.

In work experimental measurements of crystal properties geteroepitaksial thin-film structures of AlN and GaN which has been grown up on substrates from sapphire (0002) Al2O3, by a MBE method for creation on their basis HF SAW devices.

эпитаксия гетероэпитаксиальные структуры пьезокристаллы молекулярно-лучевая эпитаксия поверхностные акустические волны кристаллография акустоэлектронные СВЧ резонаторы фильтры epitaxy heteroepitaxial structures piezoelectric crystal molecular-beam epitaxy surface acoustic wave crystallography acoustoelectronic microwave resonators filters