Осуществив пролонгированную термообработку диодов серии КД 522 в жестких условиях [при температуре 230оС и обратном напряжении 15 V], удалось достичь не только стабилизации его выходных характеристик, но и расширить диапазон рабочих температур. Объяснение причин наблюдаемого эффекта было проведено с учетом свойств пленочных структур p-n-перехода, присутствующего в диоде. Исследования диодов КД 522А, КД 509А и транзисторов КТ 203А и МП-42 показали наличие аналогичного эффекта при специальной термообработке элементов в жестких условиях.

It was carried out the prolonged thermo-treatment of diodes seria КД 522 into the hard conditions [tth = 230oC by Ureu = 15 V]. This processing allowed to reach not only the stability of the exit diodes characteristics but it have extended the region of theirs working temperatures also. The explanation of reasons this effect was realized calculating the properties of the film structure p-n-transition which one presented into diode КД 522. Preliminary Investigations diodes seria КД 503А, КД 509А and transistors seria KT 203A and MP–42 were showed also analogical effect by the special thermo-treatment of elements.