Scientific journal
Modern high technologies
ISSN 1812-7320
"Перечень" ВАК
ИФ РИНЦ = 0,858

Чувствительность и диапазон внешних условий работоспособности современных конструкций, использующих жидкокристаллические (ЖК) структуры, в существенной степени определяются однородностью ориентации их тонких слоев, которая, в свою очередь, зависит от свойств подложки.

В работе исследовалось влияние модификации поверхности пленок из полиметилметакрилата (ПММ) газоразрядной плазмой кислорода на электрогидродинамическую неустойчивость (ЭГДН) нематика, находящегося на этой пленке. Плазма воздействовала на слои ПММ, нанесенные на электроды ЖК ячейки сэндвичевого типа методом полива.

Такая обработка вызывает увеличение гидрофильности поверхности в результате ее окисления. Следствием является существенное увеличение полярного вклада в поверхностное натяжение подложки ( Δγsp≤ 40×10-3 Н/м) и уменьшение дисперсионного вклада ( Δγsp≤  10×10-3 Н/м). Эти изменения обусловили уменьшение краевых углов смачивания полярных жидкостей, служивших индикатором гидрофильных свойств поверхности.

На подготовленную таким образом поверхность наносилась нематическая ЖК смесь, состоящая по массе на 2/3 из МББА и на 1/3 из ЭББА, а также отдельно n-бутилазоксибензол-n-бутироилбензол.

Для практических целей, скажем, при конструировании устройств отображения информации существенным является знание пороговых характеристик ЭГДН ЖК. Эти характеристики нанесенных на обработанную подложку кристаллов обнаруживают более слабую зависимость порогового напряжения от частоты электрического воздействия. Так, время диэлектрической релаксации указанной выше смеси нематиков уменьшилось от 1,3 мс до 0,84 мс, что соответствует увеличению критической частоты ЭГДН от 745 Гц до 1580 Гц.

Обнаруженные эффекты позволяют расширить, например, диапазон рабочих частот ЖК устройств регистрации и отображения информации и быстродействие оптических затворов высокотехнологических изделий современной техники.

Работа представлена на научную конференцию с международным участием «Современные наукоемкие технологии» (Хургада, Египет, 24-27 февраля, 2003 г.)